一种通过粉末烧结来抑制γ相比例的Ni-Mn-Ga记忆合金的制备方法服务升级

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产品简介:

申请号: CN201711422759.9 公开号: CN201711422759.9
申请日: 2017-12-30 公开日: 2021-11-04
申请人: 优先权日期: 2017-12-30
发明人: 专利分类: 机械工程、照明、加热、武器、爆破
申请人地址: 专利类型: 机械工程、照明、加热、武器、爆破
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代理人: 有效性:
法律状态:

说明书

本发明涉及一种通过粉末烧结来抑制γ相比例的Ni‑Mn‑Ga记忆合金的制备方法,该方法为按照原子百分比取57‑59份Ni粉、25份Mn粉和16‑18份Ga粉通过机械搅拌混合均匀后进行球磨,所得粉末于石墨模具中通过真空粉末烧结制备得Ni57+xMn25Ga18‑x(X=0,1,2)记忆合金。本发明涉及的方法为高温、高形状记忆效应的形状记忆合金的应用拓展了思路,所制得的Ni57+xMn25Ga18‑x(X=0,1,2)记忆合金具有马氏体相变温度高、形状记忆效应大等优点


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