成果名称：	一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL202011452092	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	华北电力大学; 国网北京市电力公司	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	10.00	所属十强产业：

本发明涉及一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法，包括：压力夹具，施压装置，压力传感器，压力均衡装置，第一、第二环氧树脂板，压接型IGBT芯片，加热板，碟簧，叠层母排，母线电容，负载电感，续流二极管，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流和电压测量装置；母线电容连直流电压源；叠层母排连直流电压源和续流二极管；续流二极管连压接型IGBT芯片；负载电感连续流二极管；驱动脉冲生成器连压接型IGBT芯片；压接型IGBT芯片连直流电压源；碟簧、第一环氧树脂板、加热板、压接型IGBT芯片、第二环氧树脂板、压力均衡装置、压力传感器、施压装置从下到上依次堆叠；压力夹具固定该叠层结构。本发明能测量压接型IGBT芯片在电‑热‑力综合影响下的动态特性。