成果名称：	一种计算封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL201910768469	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	全球能源互联网研究院有限公司; 华北电力大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	10.00	所属十强产业：

本发明公开了一种计算封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法，其特征在于，所述封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法包括以下步骤：步骤一：计算屏蔽体在某一低频点f0的磁场屏蔽效能SH(f0)＝屏蔽前磁场/屏蔽后磁场；步骤二：计算形状因子其中，c为屏蔽体形状因子，Δ为屏蔽体金属材料的厚度，μ为磁导率，ω＝2πf0；步骤三：根据步骤二的形状因子反推出整个频段的屏蔽效能表达式为：SH＝|cosh(γΔ)+cγsinh(γΔ)|；步骤四：根据关系式SE＝20log10(SH)计算对数形式下的屏蔽效能，绘制屏蔽效能曲线。