成果名称：	功率半导体器件栅氧性能参数测量电路及其测量方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL202110776525	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	华北电力大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	16.00	所属十强产业：

功率半导体器件栅氧性能参数测量电路及其测量方法，包括继电器模块，信号控制端，三轴直插BNC母座，同轴直插BNC母座，绝缘插座，BIAS端子，PCB板；继电器模块包括多个继电器，多个所述控制器用于与功率半导体器件的栅极、漏极和源极连接；所述信号控制端用于接收控制继电器模块中继电器通断的信号；所述绝缘插座用于固定被测功率半导体器件；BIAS端子包括BIAS+端子和BIAS‑端子，用于施加偏置电压；所述PCB板，实现上述部件之间的电信号连接。本发明能够直观分析在器件退化过程中的栅极结构参数变化，进而分析影响栅极可靠性的因素，为器件的栅极使用及结构设计提供重要的理论指导。