一种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法

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成果名称: 一种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法 关键字: 应用行业:
高新技术领域: 所在地: 知识产权类型: 发明专利
知识产权编号: ZL202110202189 成果体现形式: 成果属性:
成果所处阶段: 成果水平: 国内领先 研究形式:
学科分类: 战略新兴产业: 课题来源:
第一完成单位名称: 华北电力大学; 全球能源互联网研究院有限公司 第一完成单位属性: 技术成熟度:
合作方式: 技术转让 交易价格(万): 7.00 所属十强产业:
本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法,所述装置包括:高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元;所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效,填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断,即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切,保证装置长时间稳定运行,控制过程简单,装置可靠性高。
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