本发明提供了一种背接触电池的制备方法及背接触电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和硼硅玻璃层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼硅玻璃层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种背接触电池的制备方法及背接触电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。